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  1. 八戸工業大学紀要
  2. 第19巻

Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory

https://hi-tech.repo.nii.ac.jp/records/1625
https://hi-tech.repo.nii.ac.jp/records/1625
4cd67bee-c198-4107-8b37-a0fc03cc111c
名前 / ファイル ライセンス アクション
01_19_041-049_1.pdf 01_19_041-049_1 (61.6 kB)
license.icon
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2012-06-07
タイトル
タイトル Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
タイトル
タイトル Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題 PZT thin film
キーワード
言語 en
主題 D-E hysteresis
キーワード
言語 en
主題 SrRuO3 film
キーワード
言語 en
主題 etc.
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 増田, 陽一郎

× 増田, 陽一郎

en MASUDA, Yoichiro

ja 増田, 陽一郎

ja-Kana マスダ, ヨウイチロウ


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藤田, 成隆

× 藤田, 成隆

en FUJITA, Shigetaka

ja 藤田, 成隆

ja-Kana フジタ, シゲタカ


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NISHIDA, Takashi

× NISHIDA, Takashi

en NISHIDA, Takashi


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著者別名
著者別名
著者別名
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Keywords: PZT thin film, D-E hysteresis, SrRuO3 film, polarization switching, inprint, degredation
書誌情報
p. 41-49, 発行日 2000-02-28
出版者
出版者 八戸工業大学
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0287-1866
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00205113
論文ID(NAID)
内容記述タイプ Other
内容記述 120005891534
関連サイト
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.hi-tech.ac.jp/
関連名称 八戸工業大学
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Ver.1 2023-06-26 11:02:16.937198
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